Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.
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Información Básica
Marca
SYSCOM
Modelo
IRF9Z30
Garantía
3
Características Principales
- MOSFET de canal P con 50 Voltios
- Corriente continua de drenaje de 18 Amperios
- Resistencia de drenaje a fuente máxima 0.14 Ohm
- Disipación de potencia máxima 74 Watt
- Capacitancia de entrada máxima 900 pF
Especificaciones Técnicas
Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.
| FET Type | P-Channel | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 9.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V | |
| FET Feature | - | |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) | |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Base Product Number |