Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.

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Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92. - 1

Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92. - 2

Información Básica

Marca

SYSCOM

Modelo

ZTX853-ND

Garantía

3

Características Principales

Transistor NPN de silicio con 100 Vce
Alta corriente de 4 Amperios
Frecuencia de operación de 130 MHz
Potencia media de 1.2 Watt
Encapsulado compacto TO-92 industrial
Temperatura operación -55 a +200 °C

Especificaciones Técnicas

Características Principales

Transistor NPN de silicio con 100 V_CE
Alta corriente de 4 Amperios
Frecuencia de operación a 130 MHz
Potencia media de 1.2 Watt
Formato compacto TO-92

Características Eléctricas

V_CEO: 100 V
I_C (continua): 4 A
f_T: 130 MHz
P_tot: 1.2 W
h_FE: 100-300
V_CE(sat): 14-200 mV
V_BE(sat): 960-1100 mV

Características Mecánicas

Encapsulado: TO-92
Temperatura de operación: -55 a +200 °C
Resistencia térmica (Junto a Ambiente): 150 °C/W
Resistencia térmica (Junto a Carcasa): 50 °C/W

Características de Voltaje

V_CBO: 200 V
V_CEO: 100 V
V_EBO: 6 V
V_CE(sat): 14-200 mV
V_BE(sat): 960-1100 mV

Características de Corriente

I_C (continua): 4 A
I_C (pico): 10 A
I_CBO: 5-10 nA
I_EBO: 10 nA

Características de Frecuencia

f_T: 130 MHz
f_test: 50 MHz

Características de Conmutación

t_on: 50 ns
t_off: 1650 ns

Características de Potencia

P_tot a 25°C: 1.2 W
P_tot práctica: 1.58 W

Aplicaciones Típicas

Conmutación de alta corriente
Amplificación de RF
Circuitos de potencia media
Fuentes de alimentación
Control de motores
Circuitos de protección